你（nǐ）知道多少製備石墨烯的方法

你知道多少製備石墨烯的方法

該中試裝置采用不需要PMMA的製造工藝開發。為此，我們將一英寸的CVD石墨烯（生長在銅上（shàng））旋轉到Nafion溶液（5%當量）上。然後，在碳布電極（浸漬Vulcan催化劑（jì）上的20%鉑）和旋塗CVD石（shí）墨烯。最後，將所得結構置於過硫酸銨溶液中蝕刻銅並（bìng）在（zài）去離子水中衝（chōng）洗。在（zài）此階段，石墨（mò）烯粘附在Nafion膜上（shàng）；這可以通過光學（xué）和（hé）掃描電鏡進（jìn）行檢查。重要的是，可以通過大約10 kO的膜電阻率來驗證（zhèng）覆蓋範（fàn）圍。hm/square在我們的案例中；我們95%光學驗證的CVD覆蓋範圍可（kě）以得到確認。

為了測試所得（dé）薄膜的氫正離子（zǐ）選擇性（xìng），我們將鉑（2nm）蒸（zhēng）發在石墨烯薄膜上，並將碳布電極壓在（zài）其上，形成（chéng）良好的電接觸。與微型器件一樣，我們（men）通過在輸入端將薄膜（mó）暴露於不同的H-D比來研究氫正離子的滲透。我們（men）發現（xiàn），在輸入（rù）端（duān），薄膜中的氫正離子透過率為0.5%。膜保留了它的選擇性（xìng），事實（shí）上，我們測量了質子-氘核（hé）分離9。相反，沒有（yǒu）一個石墨烯大小相同的器件顯示（shì）出（chū）完全（quán）沒有（yǒu）選（xuǎn）擇性，這與我們之前的結果一致。

當使用PMMA時，CVD石墨烯被塗上PMMA，銅被蝕刻，留下一層（céng）PMMA塗層的石（shí）墨烯薄膜漂（piāo）浮在蝕刻（kè）溶液中（zhōng）。該薄膜需要（yào）轉移到目標基板上。PMMA層非常薄（在納米尺度（dù）上），這意味著從蝕刻溶液中去除石墨（mò）烯/PMMA薄膜（mó）特別精細。它是（shì）PMMA工藝的規模難以擴大，CVD石（shí）墨烯通過1英寸（cùn）規模的器件直接刻印在目（mù）標基板上。

此外，評估與所述同位素分離（lí）方法相關的（de）潛在能源成本是有用的。對於鉑活化石墨烯（xī），質子導電率為100ms /cm2。使用低壓V_0.1V可以很容易地實現質子電流i=_v_100a/m2，以避（bì）免（miǎn）石墨烯界麵形成（chéng）氣泡。這將轉換（huàn）為o H2生產率r=i/2nae_2摩爾每小（xiǎo）時每平方米（其中na為阿伏伽（gā）德羅數），生產能量為iv/r=2naev_5wh/mole或0.3kwh/kg的給水，這比（bǐ）現（xiàn）有濃縮過程中較高的能源成本更為有利，原則上，用鉑活化的（de）hbn和_1ms/cm2可以獲得更（gèng）高的產量。（100次）。

由石墨烯和六角氮化（huà）硼（HBN）單層（它們對熱質子（zǐ）具有意想不到的（de）滲透性（xìng））製備出二維質子導電膜。我們還發現，通過用催化納米顆（kē）粒裝飾單層二維材料（包括但不限於石墨烯和HBN），可以進一步降低（dī）質（zhì）子屏障。因（yīn）此，當其它（tā）二維材料經催化金屬（shǔ）處理後也能（néng）產（chǎn）生質（zhì）子傳導，這種原子薄質子導體（tǐ）方法在許多氫基（jī）技術（shù）中具有良好的應用前景。

當然，石墨烯薄膜的製備方法有很多，以後（hòu）會介紹給大家，另外（wài），重（chóng）慶遠世盛石墨烯薄膜工業有限公司還可以采用液相法和卷對卷工藝生產大量透明導電石墨烯薄膜，薄膜的參數比較好。d.

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