石墨化過程大致可分為兩個階段

石墨化（huà）過程（chéng）大（dà）致可分為兩個階段

石墨（mò）化過程大（dà）致可分為兩個階段，第一階段是在1000~1800℃之間進行，在這一（yī）階段無定形炭的石墨化並未開始，實際上以進行化學反應為主，無定形炭微晶結（jié）構中結合的氫、氧、氮、硫等（děng）元素（sù）不斷逸出，逸出的結果使無（wú）定形炭微（wēi）晶結（jié）構邊緣部分的雜質元素不斷減少，並殘留下若幹晶格缺（quē）陷，沿微晶層麵的寬度方向尺（chǐ）寸有所增長，但增長的幅度不大，在第一（yī）階段出現的變化與炭的種類（易石墨化炭還（hái）是難石墨化炭）沒有多大關係。第二階段是1800℃以上一直上升（shēng）到3000℃（也有人認為應該從1700℃開始），其中從1800~2000℃這一區（qū）間，利用X射線衍射技術可以觀測到無定形炭微晶尺寸（cùn）（L和L）的變化，以此溫度（dù）為界限，進一步提高熱處理溫度，易石墨化過程炭和難石墨化（huà）炭的差別開始明顯起來。可以認為2000℃以上炭原子（zǐ）微晶結構產生的變化是石墨化的關鍵階段，通過晶格缺陷的移動和晶（jīng）格畸變的圖13-1易石墨化炭的結構示意圖退火（huǒ）進行晶體成長，也即晶體層麵a軸方向（La）和C軸方向（L）的微晶（jīng）尺寸不斷增加，與此同時晶（jīng）體的層麵間距（do）逐漸減小，熱處理溫度越高，d越來越（yuè）接近理想石墨晶體的層（céng）麵間距（0.3354nm）。一些難（nán）石墨化炭雖然也存在石墨層狀結構的微晶，但在其周圍由未形（xíng）成交（jiāo）聯（lián）結構的碳原子（或原子團）圍繞著，並存在許（xǔ）多微小的孔隙，這種孤立狀態層麵之間的融並成長很困難，這是易（yì）石（shí）墨化（huà）炭和難（nán）石墨化炭在熱處理過程中（zhōng）的重要區別。圖13-1為易石（shí）墨化炭結構（gòu）示意圖，圖13-2為難石墨化炭結構示意圖，圖133為易石墨化炭與難石墨化炭加（jiā）熱到高溫時微晶（jīng）增長的差異。