單晶爐配件之石墨熱（rè）場的選（xuǎn）購

直拉單晶製造法（Czochralski，CZ法）是把原料多矽晶塊放入石英坩堝中，在單晶爐中加熱融化 ，再將一根直徑隻有12mm的（de）棒狀（zhuàng）晶種（稱籽晶）浸入融液中。在合適的溫度下，融液中的矽原子會順著晶種的矽原子排列結構在固（gù）液交界麵上形成規則的結晶，成為單晶體。把（bǎ）晶（jīng）種慢慢旋轉（zhuǎn）並向上提升（shēng），融液中的矽（guī）原子會在前麵形成的單晶體上（shàng）繼續結晶，並延續其規則的原子排列結構。若整個結晶環境穩（wěn）定，就可以周而複始地形成結晶，最（zuì）後形成一根圓柱形的原子排列整齊的矽單（dān）晶晶（jīng）體，即矽單晶錠。當結晶加快時，晶體直徑會變粗，提高升速可以使直徑變（biàn）細，增加溫度能抑製結晶速（sù）度。反之，若結（jié）晶變慢，直徑變細，則通過降低拉速（sù）和降溫去控製。拉晶開始，先引出一定長（zhǎng）度，直徑為3～5mm的細（xì）頸，以消除結晶位（wèi）錯，這個過（guò）程叫做引晶（jīng）。然後放（fàng）大單晶（jīng）體直徑至工（gōng）藝要求，進入等徑階段，直至大部分矽融液都結晶（jīng）成單晶錠，隻剩下少量剩料（liào）。停爐後取（qǔ）出單晶棒，一個工藝過程結束。