石墨盤定製

    GaN材料的（de）研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研製微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。GaN材料的製備主要采用氣（qì）相外延生長的方法，石墨盤是外延生長GaN晶體的必備耗材。由於石墨材料在高溫、腐蝕性氣體環境下會發生腐蝕（shí）掉粉現象（xiàng），從而將粉體雜質引入到（dào）單晶材料中。因此（cǐ），塗覆高純度、均勻致密的保護塗層（céng）是（shì）解（jiě）決該問（wèn）題的唯一方法。經化學氣相沉積碳（tàn）化（huà）矽塗層後的石墨盤具有耐高（gāo）溫、抗氧化、純度（dù）高、耐酸堿鹽及有機試劑等（děng）特（tè）性，滿足高純度單晶（jīng）生長環（huán）境的需要，國外已將其作為一種新耗材在MOCVD外延生長設備上大規（guī）模使用，但國內還沒有（yǒu）這一相關的產品。

      國防科技大（dà）學（xué）從2000年開始，一直致力於化學氣相沉積碳（tàn）化矽塗層製備技術應用研（yán）究，突破了碳化矽塗層製備的各項關（guān）鍵技術，具備了大尺寸（直徑（jìng）700mm）碳化矽塗層製備能力（lì），獲（huò）得國家發明（míng）專利授（shòu）權1項（xiàng）。本實驗室製（zhì）備的碳化矽塗層（céng）的特點是（shì）：（1）高溫（wēn）抗氧化（huà）：溫度高（gāo）達1600℃時抗氧化性能仍然非常好；（2）純度高、均勻、致密（mì）、顆粒細（xì）、無缺陷；（3）耐衝刷；（4）抗腐蝕性（xìng）：耐酸、堿、鹽（yán）及有機試劑。該技術在石墨盤方麵具有很好（hǎo）的推廣應用前景。

     碳化矽塗層石墨盤是各半導體廠家必不可少的耗材，目前，該產品全（quán）部依賴（lài）進口，價格昂貴，且受製於（yú）人。因此，本實驗室開（kāi）發的碳化（huà）矽塗層（céng）石墨盤技術一旦實現產業化，將對我國的半導（dǎo）體行業具（jù）有重要（yào）的戰略意義和市場經濟價值。