石（shí）墨表麵塗層處理化學氣相層積現（xiàn）像

化學氣相沉積碳（tàn）化矽塗層石墨盤技術

GaN材（cái）料的研究與（yǔ）應用是目（mù）前全球半導體研究的前沿和熱點，是研製微電子器件、光電子器件的新型半導（dǎo）體（tǐ）材料。GaN材料的（de）製備主要采用（yòng）氣相外延生長（zhǎng）的方法，石墨盤是外（wài）延生長GaN晶體的必備耗（hào）材。由於（yú）石墨材料在高溫、腐蝕（shí）性氣體環境下（xià）會發生腐蝕掉（diào）粉現象（xiàng），從（cóng）而將（jiāng）粉體雜質引入到單（dān）晶材料中。因此，塗覆高純度、均勻（yún）致密的保護（hù）塗層（céng）是解決該問題的唯一方法。經化學氣相沉積碳化矽塗層後的石（shí）墨盤具有耐高溫、抗氧化、純度高、耐酸堿鹽及有機試劑等特性（xìng），滿（mǎn）足高（gāo）純度單晶生長環境的需要，國外已將其作為一種新耗材在MOCVD外延生長（zhǎng）設備上大規模使用，但國內還沒有這一相關的產品。

國防科技大（dà）學從2000年開始，一直致力（lì）於化學氣相沉積碳化（huà）矽塗層製備技術應用研究，突破了碳化矽塗層製（zhì）備的（de）各項關鍵技術，具備了大尺寸（直（zhí）徑（jìng）700mm）碳化矽塗層製備能力，獲得國家（jiā）發明專利授權1項。本實驗室製備的碳化矽塗層的特點是：（1）高溫抗氧化：溫度（dù）高達1600℃時抗氧化性能仍然非常好（hǎo）；（2）純度高、均（jun1）勻、致密、顆粒細、無缺陷；（3）耐衝（chōng）刷；（4）抗腐蝕性（xìng）：耐酸、堿、鹽及有機試劑。該技術在石墨盤方麵具有很好的推廣應用前景。

碳化矽塗層石墨盤是各半導體廠家必不可少的耗材，目前，該產品全部（bù）依賴進口，價格昂貴，且受製於人。因此，本實驗室開發的碳化（huà）矽塗層石墨盤技（jì）術一（yī）旦實現產業化，將對我（wǒ）國的（de）半導體行業具有重要的戰略意義和市場經濟價值。