一種物理氣相沉(chén)積(jī)法生(shēng)長大尺寸碳化矽單晶的石墨坩堝及其應用
發布時間:2019-08-29 11:36:46
一種物理氣相沉(chén)積法生長大尺寸碳化矽單晶(jīng)的石墨坩(gān)堝及其應用
本發明涉及一種物理(lǐ)氣相沉積法生長大尺寸碳化矽(guī)單(dān)晶的(de)石墨(mò)坩堝,包(bāo)括收容碳化矽(guī)原料的坩堝桶和上蓋,在所述坩堝桶的內壁上部和上蓋的外壁(bì)上設置有相(xiàng)互旋合的螺(luó)紋,所述(shù)上蓋和坩堝桶通過螺(luó)紋連接;在所述的坩堝桶內壁上(shàng)設置有放置多孔(kǒng)石墨板的定位塊;在定位塊上放置有多孔石墨板,所述多(duō)孔石墨板的外徑與坩堝桶(tǒng)的內徑相適應。本發明有效的避(bì)免了(le)生長過程中碳化矽原料的碳化對晶體生長造成的影響,提(tí)高晶體生長的穩定性和成功率。