石（shí）墨化度的（de）間接推測

石墨化度的間接推測（cè）石墨化度的（de）間接推測

1.通過測定真密度可間接推測石墨度化，真密度直接依賴（lài）於晶格參數的變化減小則真密度增（zēng）加。真密度（dù）的（de）測定方法較簡單，據計算理想石（shí）墨的真密度為2.266g/c3，經（jīng）過（guò）1300℃煆燒過的炭質原料真密度一般達到（dào）2.0~2.1g/c3，經過2300~3000℃的石墨化後真密（mì）度提高到2.20~2.24g/cm3，因此石墨電極的真（zhēn）密度越大表示石墨化程（chéng）度越高。

2.通過（guò）測定電阻率間接推測石墨化度。由於碳的微（wēi）晶結構在熱處理過程中逐漸由無序排列轉（zhuǎn）為有序排列，晶格（gé）參數的變化，使炭材料的電阻率隨熱（rè）處理溫度的（de）上升而降低。由（yóu）石油焦生產的（de）電極焙燒半（bàn）成品的試塊電阻（zǔ）率一般為（wéi）35μm左右，石墨化後一（yī）般可降低到10·m以下，用針狀（zhuàng）焦生產（chǎn）的優質石墨電極經過（guò）溫度為3000℃的高溫石（shí）墨化，電阻率可降低到4~5μ.m，石墨製品的電阻率越低說明其石墨化（huà）程度越高。

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